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晶圆大厂遭攻击被迫停产,国内碳化硅厂商有望接收转移订单

日期:2020/7/14
来源:乐晴智库

  据报道,全球领先的晶圆大厂X-FAB发布公告称,X-FAB集团受到网络攻击,所有IT系统均已立即停止,所有6个生产基地的生产都已停止。

  X-FAB是全球领先的模拟/混合信号和MEMS芯片代工企业,每月的总产能约为100,000个8英寸等效晶片。

  从业务上看,CMOS业务是公司最大的业务来源,其次是MEMS业务。然而最值得一提的是该公司的碳化硅(SiC)业务。该业务位于德克萨斯州拉伯克的工厂同时为20个SiC客户提供服务,其中越来越多的份额来自亚洲地区。

 

  X-FAB表示无法估计将中断多长时间和达到多少程度。业内人士表示全球半导体晶圆制造产业恐受冲击。

  根据Yole的预测,全球电动汽车和充电桩SiC功率器件市场规模将从2018年的0.65亿美元增长至2023年的4.4亿美元以上,CAGR约46%。除此之外,轨道交通、供电、电机驱动等领域也将保持较快的增速。

  总体来看,全球SiC功率器件市场规模将从2018年的3.7亿美元增长至2023年的近14亿美元,CAGR超过30%。

  SiC是第三代半导体材料的代表。而言,目前Si MOSFET应用多在10 00V以下,约在600~900V之间,若超过1000V,其芯片尺寸会很大,切换损耗、寄生电容也会上升。

  SiC器件相对于Si器件的优势之处在于,降低能量损耗、更易实现小型化和更耐高温。SiC功率器件的损耗是Si器件的50%左右。SiC主要用于实现电动车逆变器等驱动系统的小量轻化。

  当前制约SiC器件发展的主要因素在于其高昂的价格,而成本的主要决定因素是衬底和晶圆尺寸。未来随着技术的发展,衬底的成本将会慢慢下降,晶圆的尺寸也会越做越大,价格也会慢慢下降,因此未来SiC市场空间的增速会越来越快。

  SiC关键技术由海外公司垄断,从产业链来看,上游部分,CREE公司独占SiC制造市场份额60%以上;中游部分,英飞凌、CREE、意法半导体和安森美等功率半导体领域国际排名前十的企业合计已在SiC功率器件市场占据50%以上份额。

  相比于美国CREE公司于2003年推出SiC产品,国内公司起步晚。直到2015年初,泰科天润才首次实现了碳化硅肖特基二极管的量产。国内如扬杰科技、中车、中电13所等公司及研究机构近年来也加大对碳化硅器件的研究,逐步打破国外公司的封锁,目前也已经形成完整的碳化硅产业链——即上游衬底、中游外延片、下游器件制造。

  2018年7月国内首个《第三代半导体电力电子技术路线图》正式发布,提出了中国第三代半导体电力电子技术的发展路径及产业建设。福建省更是投入500亿,成立专门的安芯基金来建设第三代半导体产业集群。

  另据中国电科总经理称,碳化硅已完全自主供应,中电科实现4英寸晶片大批量产,6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底也已经开始工程化验证,预计年底达到产业化应用与国际水平相当。X-FAB停产,部分订单有望转移至国内厂商,利好碳化硅产业链相关企业。

关键字:中国研磨网
[责任编辑:武林]
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