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日本开发高精度制造半导体碳化硅的技术,目标2025年实现量产

日期:2021/11/30
来源:日经中文网

   日经中文网11月30日消息,日本名古屋大学的宇治原彻教授等人开发出利用人工智能(AI)高精度制造新一代半导体使用的碳化硅(SiC)结晶的方法。这种方法能将结晶缺陷数量降至原来百分之一,提高半导体生产的成品率。2021年6月成立的初创企业计划2022年销售样品,2025年实现量产。

  据介绍,采用SiC基板的半导体已在美国特斯拉部分主打纯电动汽车“Model 3”中负责马达控制等的逆变器上使用。丰田也在2020年底推出的燃料电池车“MIRAI”的新款车上采用电装生产的SiC。

关键字:碳化硅
[责任编辑:小娜]
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